VCSEL激光器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911373905.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113054530A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113054530A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01S5/183 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王朝成;田志偉;郭銘浩;李念宜;王立 申請（專利權(quán)）人 浙江睿熙科技有限公司
代理機構(gòu) 寧波理文知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 羅京;孟湘明
地址 311113 浙江省杭州市良渚街道通運街358號2幢101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环NVCSEL激光器及其制備方法。該方法包括：形成外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)自下而上依次包括襯底、緩沖層、N型摻雜的DBR、有源區(qū)、限制層、P型摻雜的DBR和歐姆接觸層；通過蝕刻工藝在所述外延結(jié)構(gòu)上形成臺面結(jié)構(gòu)；通過特定清洗劑對所述臺面結(jié)構(gòu)進行清洗處理其中，所述清洗劑為不具有蝕刻半導(dǎo)體能力的溶液或溶劑；通過氧化工藝氧化所述限制層，以形成具有特定孔徑的開孔；在所述臺面結(jié)構(gòu)上沉積非金屬隔離層；以及，在所述歐姆接觸層的上表面形成第一電極和在所述襯底的下表面形成第二電極。這樣，有效地克服在氧化制程中出現(xiàn)的分層現(xiàn)象，以優(yōu)化所述VCSEL激光器的結(jié)構(gòu)。