在晶圓級別集成的VCSEL器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120730638.6 申請日 -
公開（公告）號 CN215267071U 公開（公告）日 2021-12-21
申請公布號 CN215267071U 申請公布日 2021-12-21
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/20（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭銘浩;王立;李念宜 申請（專利權(quán)）人 浙江睿熙科技有限公司
代理機構(gòu) 上海領(lǐng)洋專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅曉飛
地址 311113浙江省杭州市良渚街道通運街358號2幢101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種在晶圓級別集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：外延結(jié)構(gòu)，其自下而上依次包括：襯底、N?DBR層、有源區(qū)、限制層和P?DBR層，其中，所述限制層形成用于限制發(fā)光孔徑的限制孔；一體成型于所述外延結(jié)構(gòu)上的半導(dǎo)體光學(xué)結(jié)構(gòu)，其中，所述半導(dǎo)體光學(xué)結(jié)構(gòu)，包括：光學(xué)調(diào)制部和包覆所述光學(xué)調(diào)制部的保護部，所述光學(xué)調(diào)制部對應(yīng)于所述限制孔；以及，電連接于所述外延結(jié)構(gòu)的正電極和負電極。所述VCSEL器件在晶圓級別上集成了VCSEL激光器和用于調(diào)制VCSEL激光器出射的激光的半導(dǎo)體光學(xué)結(jié)構(gòu)。