一種單晶硅生產(chǎn)加工拉晶爐的冷卻裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021909445.9 申請日 -
公開(公告)號 CN212983094U 公開(公告)日 2021-04-16
申請公布號 CN212983094U 申請公布日 2021-04-16
分類號 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 凌繼貝;張忠華;張俊;吳雄 申請(專利權(quán))人 內(nèi)蒙古豪安能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 張靜
地址 014100內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市土默特右旗新型工業(yè)園區(qū)光伏光電產(chǎn)業(yè)園1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種單晶硅生產(chǎn)加工拉晶爐的冷卻裝置,包括底座、籽晶和冷卻裝置,本實(shí)用新型通過在爐體內(nèi)部上端設(shè)置了冷卻裝置,依次將進(jìn)水管和出水管與外部水冷設(shè)備連接,然后在將進(jìn)氣管和出氣管與外部惰性氣體設(shè)備連接,然后在外部水冷設(shè)備與外部惰性氣體設(shè)備的運(yùn)行作用下,使水冷管實(shí)現(xiàn)冷卻箱內(nèi)部的循環(huán)活動(dòng),而在惰性氣體循環(huán)下,進(jìn)一步加大冷卻箱內(nèi)部冷卻效果,然后單晶棒移入到冷卻箱中部時(shí),會(huì)在冷卻箱內(nèi)部冷卻效果下,實(shí)現(xiàn)對單晶棒的冷卻,避免單晶棒生長缺陷,從而達(dá)到了提高對單晶硅生產(chǎn)速率,避免生產(chǎn)缺陷的優(yōu)點(diǎn)。??