帶有柵極溝槽結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021831014.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213366599U 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN213366599U 申請公布日 2021-06-04
分類號 H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張梓豪;黃興;陳欣璐 申請（專利權(quán)）人 派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 310000 浙江省杭州市濱江區(qū)浦沿街道六和路368號一幢(北)三樓D3204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種帶有柵極溝槽結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET，包括：碳化硅襯底；碳化硅襯底上生長的碳化硅外延層；所述碳化硅襯底背面覆蓋的漏極金屬電極；所述碳化硅外延層上刻蝕的溝槽，在所述溝槽表面生長有的氧化層，氧化層上設(shè)有的柵極金屬電極；在碳化硅外延層上設(shè)有的源極注入?yún)^(qū)；所述源極注入?yún)^(qū)上覆蓋有的源極金屬電極；在碳化硅外延層上還設(shè)有的多個注入?yún)^(qū)，其中包括阻斷注入?yún)^(qū)，保護(hù)注入?yún)^(qū)和改善注入?yún)^(qū)，所述阻斷注入?yún)^(qū)的摻雜類型為第二導(dǎo)電類型，所述改善注入?yún)^(qū)的摻雜類型為第一導(dǎo)電類型，所述保護(hù)注入?yún)^(qū)為重?fù)诫s的第二導(dǎo)電類型，所述阻斷注入?yún)^(qū)與源極注入?yún)^(qū)相鄰且設(shè)置在柵極和漏極之間，所述保護(hù)注入?yún)^(qū)設(shè)置在柵極金屬電極下方。