一種具有相同柵源摻雜的場效應(yīng)晶體管及其元胞結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020593696.4 申請日 -
公開（公告）號 CN212676273U 公開（公告）日 2021-03-09
申請公布號 CN212676273U 申請公布日 2021-03-09
分類號 H01L29/808(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃興;陳欣璐;陳然 申請（專利權(quán)）人 派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司
代理機構(gòu) 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 310000浙江省杭州市濱江區(qū)浦沿街道六和路368號一幢(北)三樓D3204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種具有相同柵源摻雜的場效應(yīng)晶體管及其元胞結(jié)構(gòu)。其中具有相同柵源摻雜的場效應(yīng)晶體管元胞結(jié)構(gòu)，包括：碳化硅襯底，該碳化硅襯底材料的摻雜類型為第一導(dǎo)電類型；在碳化硅襯底的正面和背面分別設(shè)有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層和第一電極；在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層上依次設(shè)置有第二導(dǎo)電類型懸浮區(qū)、第一導(dǎo)電類型柵極注入?yún)^(qū)、第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)，柵極注入?yún)^(qū)上設(shè)置有柵極，源極注入?yún)^(qū)上設(shè)置有源極，柵極注入?yún)^(qū)和源極注入?yún)^(qū)之間設(shè)置有極間介質(zhì)，所述極間介質(zhì)用于對柵極和源極進行隔離。??