一種具有相同柵源摻雜的場效應(yīng)晶體管、元胞結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021485861.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN213304144U | 公開（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申請公布號 | CN213304144U | 申請公布日 | 2021-05-28 |
| 分類號 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 黃興;陳欣璐;陳然 | 申請（專利權(quán)）人 | 派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董世博 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市濱江區(qū)浦沿街道六和路368號一幢(北)三樓D3204室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種具有相同柵源摻雜的場效應(yīng)晶體管、元胞結(jié)構(gòu)，其中元胞結(jié)構(gòu)包括：碳化硅襯底，該碳化硅襯底材料的摻雜類型為第一導(dǎo)電類型，在碳化硅襯底的正面和背面分別設(shè)有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層和第一電極；在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層上依次設(shè)置有第二導(dǎo)電類型懸浮區(qū)、第一導(dǎo)電類型柵極注入?yún)^(qū)、第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)，柵極注入?yún)^(qū)上設(shè)置有柵極，源極注入?yún)^(qū)上設(shè)置有源極，柵極注入?yún)^(qū)和源極注入?yún)^(qū)之間設(shè)置有極間介質(zhì)，所述極間介質(zhì)用于對柵極和源極進(jìn)行隔離，其中所述第二導(dǎo)電類型懸浮區(qū)與第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)的接觸部與第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)相同，且都設(shè)置為具有終端尖角。?? |
