一種改善鍺單晶籽晶缺陷的制作加工方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111156655.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113957520A 公開（公告）日 2022-01-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113957520A 申請(qǐng)公布日 2022-01-21
分類號(hào) C30B15/36（2006.01）I;C30B29/08（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 崔丁方;張文澤熹;韓帥民;龍正祥;張仕波;李雙坐;趙國(guó)燦;鄭勇;殷兆奎;李俊儀 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 云南馳宏國(guó)際鍺業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京名華博信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 薛飛
地址 655011云南省曲靖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善鍺單晶籽晶缺陷的制作加工方法，屬于晶體加工領(lǐng)域，所述的改善鍺單晶籽晶缺陷的制作加工方法采用以下步驟：步驟1、根據(jù)籽晶夾頭大小和需要尺寸來(lái)拉制合適尺寸單晶；步驟2、通過更加細(xì)致的人工控制在后期需要加工錐度處縮頸一段；步驟3、采用慢放肩，放肩速度10?15mm/h，放肩角度大于45°斜放肩方式。本發(fā)明大幅提高鍺籽晶電阻率均勻性，降低籽晶位錯(cuò)密度和內(nèi)部缺陷，生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)的籽晶原材料。