一種薄膜太陽(yáng)能芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201120164325.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN202268358U 公開(kāi)（公告）日 2012-06-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN202268358U 申請(qǐng)公布日 2012-06-06
分類號(hào) H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬給民 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東凱盛光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)海王大廈A-13F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種薄膜太陽(yáng)能芯片，1.0微米標(biāo)準(zhǔn)厚度的銅銦鎵硒薄膜層電鍍?cè)?.0毫米標(biāo)準(zhǔn)厚度的玻璃基板上，中間有鉬薄膜所述銅銦鎵硒薄膜層上面鍍有硫化鎘薄膜層、氧化鋅絕緣層和透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層，所述玻璃基板內(nèi)有光刻膠或其它絕緣體，還鋪有金屬電極薄膜，透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層上鍍鎳，鎳上有導(dǎo)電鋁薄膜，該導(dǎo)電鋁薄膜上面加上一層保護(hù)鎳薄膜，保護(hù)鎳薄膜上有鈉鈣覆蓋玻璃，避免了薄膜芯片受污染，能大批量的生產(chǎn)。