低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201220234809.7 申請日 -
公開（公告）號 CN202721142U 公開（公告）日 2013-02-06
申請公布號 CN202721142U 申請公布日 2013-02-06
分類號 H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭壽;馬給民;保羅·比帝;向光;王蕓 申請（專利權(quán)）人 廣東凱盛光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518000 廣東省東莞市松山湖科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)工業(yè)北四路松山湖工業(yè)大廈414-418室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，在鈉鈣玻璃基板上鍍有約0.35至1.0微米厚鉬薄膜，在所述鉬薄膜鍍有約0.7至2.0微米厚，或1.0微米標(biāo)準(zhǔn)厚度的銅銦鎵硒薄膜及晶體，在銅銦鎵硒薄膜及晶體與其上表面有“p-n結(jié)”薄膜區(qū)域。使用低溫濺射，不會使“硒(Se)”流失，并能促進(jìn)玻璃基板放氣，促進(jìn)薄膜間的粘合度，并啟動“銅銦鎵硒”晶體的生長。表中“銦”與“鎵”的成分是我們常見的比例，Ga/(Ga+In)的比例也是十分理想的，要靠近0.3但不超過0.3，以求得最優(yōu)化的“帶寬(band?gap)”，適宜批量生產(chǎn)并精準(zhǔn)的低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池。