一種薄膜太陽能芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201220321366.5 申請日 -
公開（公告）號 CN202721143U 公開（公告）日 2013-02-06
申請公布號 CN202721143U 申請公布日 2013-02-06
分類號 H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭壽;馬給民;保羅·比帝;向光;王蕓 申請（專利權(quán)）人 廣東凱盛光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518000 廣東省東莞市松山湖科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)工業(yè)北四路松山湖工業(yè)大廈414-418室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種薄膜太陽能芯片，1.0微米標(biāo)準(zhǔn)厚度的銅銦鎵硒薄膜層電鍍在1.0毫米標(biāo)準(zhǔn)厚度的玻璃基板上，中間有鉬薄膜所述銅銦鎵硒薄膜層上面鍍有硫化鎘薄膜層、氧化鋅絕緣層和透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層，所述玻璃基板內(nèi)有光刻膠或其它絕緣體，還鋪有金屬電極薄膜，透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層上鍍鎳，鎳上有導(dǎo)電鋁薄膜，該導(dǎo)電鋁薄膜上面加上一層保護(hù)鎳薄膜，保護(hù)鎳薄膜上有鈉鈣覆蓋玻璃，避免了薄膜芯片受污染，能大批量的生產(chǎn)。