參數(shù)優(yōu)化方法及裝置、服務(wù)器和存儲(chǔ)介質(zhì)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011558490.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112651203A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN112651203A 申請(qǐng)公布日 2021-04-13
分類號(hào) G06F30/367;G06F30/373;G06F111/06 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 李翡;高云鋒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京華大九天科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;李鎮(zhèn)江
地址 211800 江蘇省南京市中國(guó)（江蘇）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)南京片區(qū)研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈2305室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開(kāi)涉及微電子器件建模領(lǐng)域，提供了一種用于器件建模工具的參數(shù)優(yōu)化方法及裝置、服務(wù)器和存儲(chǔ)介質(zhì)，通過(guò)提取半導(dǎo)體器件模型的仿真參數(shù)，該仿真參數(shù)為該半導(dǎo)體器件模型在所述器件建模工具中與實(shí)際半導(dǎo)體器件獲得量測(cè)參數(shù)的相同設(shè)定條件下獲得的電學(xué)特性曲線；而后選定前述仿真參數(shù)中待優(yōu)化的特性數(shù)據(jù)點(diǎn)集合，該特性數(shù)據(jù)點(diǎn)為同一坐標(biāo)系下前述仿真參數(shù)偏離前述量測(cè)參數(shù)的離散點(diǎn)；以及基于前述量測(cè)參數(shù)利用優(yōu)化算法確定目標(biāo)特性數(shù)據(jù)點(diǎn)集合，該目標(biāo)特性數(shù)據(jù)點(diǎn)的特性值即為前述待優(yōu)化的特性數(shù)據(jù)點(diǎn)優(yōu)化后的目標(biāo)特性值。由此可有效提高仿真建模的效率及其準(zhǔn)確性。