一種用于PCB孔銅晶粒分析的樣品的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110705256.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113447339A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113447339A 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類(lèi)號(hào) G01N1/32（2006.01）I 分類(lèi) 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 王君兆;黃偉 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳市美信咨詢(xún)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京禾易知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張松云
地址 518108廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道松白公路北側(cè)方正科技工業(yè)園研發(fā)樓109室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于PCB孔銅晶粒分析的樣品的制備方法，該方法包括以下步驟：樣品鑲嵌：將待分析的樣品用環(huán)氧樹(shù)脂包裹，采用室溫固化工藝進(jìn)行固化8～12小時(shí)；機(jī)械研磨拋光：采用砂紙研磨至需要觀測(cè)的區(qū)域，通過(guò)拋光液進(jìn)行拋光作業(yè)；離子研磨：將拋光后的樣品采用氬離子束對(duì)樣品表面持續(xù)轟擊深度為1～3微米，去除機(jī)械研磨拋光帶來(lái)的塑性變形、應(yīng)變孿晶的影響；成像觀測(cè)：利用聚焦離子束對(duì)離子拋光后的樣品截面進(jìn)行離子成像觀測(cè)，本發(fā)明引入離子拋光技術(shù)，不引入明顯的應(yīng)力，拋光過(guò)程中不會(huì)造成孔銅延展變形，保持了孔銅組織的原始狀態(tài)；引入離子成像技術(shù)，利用晶粒間的取向差異來(lái)識(shí)別孿晶、晶粒、晶界缺陷，對(duì)離子拋光后的樣品直接觀測(cè)。