TOPCon太陽能電池的制造方法及其非晶硅晶化的方法和設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910971563.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110767774B 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN110767774B 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬哲國 申請（專利權(quán)）人 理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201315 上海市松江區(qū)思賢路3255號3幢403室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供TOPCon太陽能電池的制造方法及其非晶硅晶化的方法和設(shè)備。所述晶化的方法包括：(a).提供用于TOPCon太陽能電池的且背面依次沉積有氧化層和非晶硅層的硅片；(b).接收硅片并將其在800?950℃的溫度下進行20至40分鐘的熱處理，以將非晶硅層晶化成多晶硅層；以及(c).接收硅片并將其在比步驟(c)溫度低50?300℃的降低溫度下進行1至5分鐘的降溫熱處理，并在每個降溫熱處理之后將硅片在800?1000℃的溫度下進行10秒至5分鐘的熱處理以釋放應(yīng)力。本發(fā)明能有效避免非晶硅晶化爆膜。