異質結太陽能電池及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110035157.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112864284A 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN112864284A 申請公布日 2021-05-28
分類號 H01L31/20;H01L31/0747 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張津燕;吳科俊;王琳;陳金元 申請（專利權）人 理想萬里暉半導體設備（上海）股份有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 201306 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)江山路2699弄3號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供異質結太陽能電池及其制造方法。所述方法先對N型單晶硅片進行制絨及清洗；然后在其正反兩面上分別形成第一、第二本征非晶硅層；接著在第一本征非晶硅層上形成N型非晶硅層；之后在第二本征非晶硅層上形成其中的P型雜質濃度沿著遠離第二本征非晶硅層的方向在X％?Y％的范圍內(nèi)以第一斜率線性增長的第一P型非晶硅層；接著在第一P型非晶硅層上形成其中的P型雜質濃度沿著遠離第一P型非晶硅層的方向在Y％?Z％的范圍內(nèi)以第二斜率線性增長的第二P型非晶硅層；然后在所述N型非晶硅層以及第二P型非晶硅層上分別形成第一、第二透明導電膜；最后在第一、第二透明導電膜上形成第一、第二電極。本發(fā)明有助于改善電池的內(nèi)建電場、提高電池轉換效率。