一種場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110328230.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113097305A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN113097305A 申請(qǐng)公布日 2021-07-09
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林河北;覃尚育;張澤清;葛立志 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳峰誠(chéng)志合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明香
地址 518000廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)華昌路315號(hào)1層（華昌路工業(yè)區(qū)14棟1-3層，17棟1-3層）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了場(chǎng)效應(yīng)管包括在碳化硅襯底形成第一外延層，在第一外延層上的第二外延層，間隔形成在第二外延層內(nèi)的第一注入?yún)^(qū)，第二外延層包括第一子外延層和第二子外延層，第一子外延層位于第一注入?yún)^(qū)之間，在襯底上形成導(dǎo)電類型不同的兩層外延層，在第二子外延層之間并與第一子外延層形成第二注入?yún)^(qū)，以及形成在第二子外延層內(nèi)并遠(yuǎn)離第二注入?yún)^(qū)的第三注入?yún)^(qū)，貫穿第二外延層并延伸至第一外延層內(nèi)的溝槽、形成在溝槽的側(cè)壁和溝槽的底部的氧化層、以及形成在氧化層上的多晶硅，溝槽與第一注入?yún)^(qū)、第二子外延層和第三注入?yún)^(qū)連接，還公開(kāi)了場(chǎng)效應(yīng)管制備方法，提高了器件的工作性能，降低了器件的導(dǎo)通電阻。