用于快速充電管理系統(tǒng)的靜電防護(hù)芯片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111107691.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113937098A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-01-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113937098A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-14 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/02（2006.01）I;H01L21/822（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 顧嵐雁;林河北;胡慧雄 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳峰誠(chéng)志合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)華昌路315號(hào)1層（華昌路工業(yè)區(qū)14棟1-3層,17棟1-3層） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了用于快速充電管理系統(tǒng)的靜電防護(hù)芯片，包括襯底、形成在襯底上的第一外延層、第一外延層上的第一注入?yún)^(qū)、第一注入?yún)^(qū)上的第二注入?yún)^(qū)及第二注入?yún)^(qū)上的第二外延層，自第二外延層延伸至第一外延層內(nèi)的第一溝槽、位于第一溝槽之間的第二溝槽，第一溝槽內(nèi)填充氧化硅層，第二溝槽內(nèi)填充第三外延層，形成在第三外延層內(nèi)的第三注入?yún)^(qū)、第二外延層內(nèi)的第四注入?yún)^(qū)、第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層、位于第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之間的第一接觸孔及第二接觸孔，第一接觸孔內(nèi)和第一介質(zhì)層上的第一金屬層，第二介質(zhì)層上和第二接觸孔內(nèi)的第二金屬層。本發(fā)明還提供用于快速充電管理系統(tǒng)的靜電防護(hù)芯片制備方法，提高了放電密度，也降低了器件的制造成本。 |
