一種用于耗盡型GaNHEMT器件堆疊封裝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210141635.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114551249A 公開(kāi)（公告）日 2022-05-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN114551249A 申請(qǐng)公布日 2022-05-27
分類號(hào) H01L21/50（2006.01）I;H01L23/34（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧嵐雁;林河北;梅小杰;解維虎;覃尚育;陳永金 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳峰誠(chéng)志合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)華昌路315號(hào)1層（華昌路工業(yè)區(qū)14棟1-3層,17棟1-3層）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了用于耗盡型GaNHEMT器件堆疊封裝方法，通過(guò)將耗盡型GaNHEMT器件通過(guò)機(jī)械減薄得到芯片的晶圓，并將晶圓切割至預(yù)設(shè)尺寸，將膠帶貼在晶圓的背面且用鐵圈固定起來(lái)，采用晶片切割機(jī)將晶圓片切成一顆顆芯片，將切割后的芯片放置在導(dǎo)線架或基板中的晶片座上，并以銀漿或金?硅共晶黏合法黏住固定送至烘烤，烘烤完成后送入壓焊機(jī)物料軌道，先用鋁線后用銅線進(jìn)行壓焊得到待封裝器件，將待封裝器件的柵極和啟動(dòng)管的源極分別使用金屬加厚并進(jìn)行鍵合形成用于耗盡型GaNHEMT器件的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)在芯片上堆疊封裝Si增強(qiáng)型VDMOS，大大增加了功率器件芯片的熱耗散，提高了器件工作的可靠性。