一種GaAs HBT功率器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610172324.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107230708A 公開（公告）日 2017-10-03
申請公布號 CN107230708A 申請公布日 2017-10-03
分類號 H01L29/737;H01L23/367 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周佳輝;郭嘉帥;錢永學(xué);孟浩 申請（專利權(quán)）人 上海昂兆電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張瑾
地址 200100 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)盛夏路666號銀冬路122號5幢5層01單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種GaAsHBT功率器件，所述GaAsHBT功率器件包括多個并聯(lián)的HBT晶體管，所述GaAsHBT功率器件的襯底隔離區(qū)開設(shè)有背孔，所述GaAsHBT功率器件的襯底有源區(qū)在所述HBT晶體管的背面位置開設(shè)有背孔，所述HBT晶體管的發(fā)射極通過布線金屬與襯底隔離區(qū)的背孔金屬相連。本發(fā)明能夠有效改善GaAsHBT功率器件由于自熱和熱耦合引起的電流增益崩塌現(xiàn)象，提高工作效率。