一種GaN基發(fā)光二極管外延片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811416036.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109545925B 公開（公告）日 2020-04-10
申請公布號 CN109545925B 申請公布日 2020-04-10
分類號 H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉旺平;喬楠;呂蒙普;胡加輝;李鵬 申請（專利權(quán)）人 華燦光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 徐立
地址 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaN基發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于GaN基發(fā)光二極管領(lǐng)域。發(fā)光二極管外延片包括：襯底、在所述襯底上順次沉積的緩沖層、非摻雜GaN層、N型摻雜GaN層、低溫應(yīng)力釋放層、淺阱層、多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層、以及P型接觸層，所述低溫應(yīng)力釋放層為第一InGaN子層與第一GaN子層交替生長的周期性結(jié)構(gòu)，所述第一InGaN子層的厚度為1～2nm，所述第一GaN子層的厚度為5～10nm，所述第一InGaN子層或所述第一GaN子層的數(shù)量為10～30。