激光二極管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911047057.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111106534B 公開（公告）日 2020-05-05
申請公布號 CN111106534B 申請公布日 2020-05-05
分類號 H01S5/22(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘭葉;吳志浩 申請（專利權）人 華燦光電股份有限公司
代理機構 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 代理人 呂耀萍
地址 430223湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)濱湖路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開公開了一種激光二極管及其制作方法，屬于半導體技術領域。包括襯底、外延層、N型電極、P型電極、第一反射層和第二反射層；外延層包括緩沖層、N型半導體層、有源層和P型半導體層；P型半導體層的表面為脊波導結構，P型半導體層上設有第一凹槽和第二凹槽，P型半導體層和有源層形成柱體結構，柱體結構的側(cè)面包括第一曲面、第一平面、第二曲面和第二平面，第一平面和第二平面平行于脊波導結構中脊的延伸方向，第一曲面和第二曲面上點的曲率在從第一平面到第二平面的方向上先減小至0、再保持為0、最后從0開始增大；第一反射層和第二反射層分別鋪設在第一曲面和第二曲面上。本公開可提高激光二極管的出光效率。??