一種功率放大器偏置電位瞬態(tài)補償電路技術
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110925352.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113595529A | 公開(公告)日 | 2021-11-02 |
| 申請公布號 | CN113595529A | 申請公布日 | 2021-11-02 |
| 分類號 | H03K3/02(2006.01)I;H03F1/30(2006.01)I;H03F3/21(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 王國瑞;張福泉;汪金銘;王圣禮 | 申請(專利權)人 | 上海旻森電子科技有限公司 |
| 代理機構 | 北京眾允專利代理有限公司 | 代理人 | 沈小青 |
| 地址 | 200120上海市浦東新區(qū)秋月路26號矽岸國際1號樓3樓D室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種功率放大器偏置電位瞬態(tài)補償電路技術,包括窄脈沖產生器,所述窄脈沖產生器的輸出端設有第一開關晶體管,所述第一開關晶體管的輸出端設有緩沖器,所述緩沖器的輸出端設有第二開關晶體管,所述第二開關晶體管的輸出端設有驅動器,所述第一開關晶體管的輸出端設有第一電容器、第二電容器以及第三電容器,且所述第一電容器與第一開關晶體管電性連接。本發(fā)明電路結構產生一個隨時間線性變化的三角波上沖補償信號,相比業(yè)界通用的指數衰減型補償信號,在⊿t時段內對EVM性能的補償效果更優(yōu),且補償信號持續(xù)時長參數對工藝、溫度、電壓等因素波動更加不敏感,⊿t時段內EVM性能的量產穩(wěn)定性更好。 |





