一種銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)的堿金屬摻雜處理法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911203612.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111223963B 公開(kāi)（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN111223963B 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡煜霖;劉寬菲;任宇航 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 尚越光電科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州知見(jiàn)專利代理有限公司 代理人 趙越劍
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)五常街道余杭塘路1999號(hào)尚越綠谷中心1幢603室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)的堿金屬摻雜處理法，依次包括如下步驟：（1）先沉積一層Mo背電極層；（2）再沉積一層堿金屬鹵化物；（3）再共蒸發(fā)In、Ga、第六主族固態(tài)單質(zhì)，（4）再共蒸發(fā)Cu、第六主族固態(tài)單質(zhì)；（5）再沉積一層堿金屬鹵化物；（6）再共蒸發(fā)Cu、第六主族固態(tài)單質(zhì)；（7）再共蒸發(fā)In、Ga、第六主族固態(tài)單質(zhì)；（8）最后再沉積一層堿金屬鹵化物；（9）退火處理。本發(fā)明能夠有效增加Mo層與CIGS層的附著力、增加CIGS空穴濃度、降低薄膜表面粗糙度、減少CdS緩沖層厚度并且提高薄膜太陽(yáng)能電池開(kāi)路電壓、光電轉(zhuǎn)換效率。