超結器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710500170.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109148555B 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN109148555B 申請公布日 2021-08-31
分類號 H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖勝安;曾大杰;李東升;鄭怡 申請（專利權）人 深圳尚陽通科技股份有限公司
代理機構 上海浦一知識產權代理有限公司 代理人 郭四華
地址 518057 廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)中區(qū)科豐路2號特發(fā)信息港B棟601-602單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超結器件，設置有環(huán)繞在電荷流動區(qū)周側的保護環(huán)氧化膜，使JFET區(qū)域和源區(qū)都能實現(xiàn)全面注入，過渡區(qū)中的第二接觸孔的橫向尺寸大于電荷流動區(qū)中的第一接觸孔的最小橫向尺寸，且保證第二接觸孔在比第一接觸孔多穿過一層保護環(huán)氧化膜的條件下具有較小的高寬比，從而既能提高第二接觸孔的面積從而提高過渡區(qū)的載流子收集能力，又能降低第二接觸孔的高寬比從而使得對較深深度的第二接觸孔進行無針孔金屬填充。本發(fā)明還公開了一種超結器件的制造方法。本發(fā)明能提高器件的抗雪崩擊穿能力，同時能防止在過渡區(qū)中接觸孔中出現(xiàn)金屬填充針孔，提高器件的可靠性，還能減少光刻層次，降低工藝成本。