功率MOSFET
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710908423.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109585445B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109585445B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 肖勝安 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳尚陽(yáng)通科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 郭四華 |
| 地址 | 518057廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)中區(qū)科豐路2號(hào)特發(fā)信息港B棟601-602單元 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種功率MOSFET，功率MOSFET的有源區(qū)包括多個(gè)并聯(lián)的原胞，各原胞包括柵極結(jié)構(gòu)、溝道區(qū)、源區(qū)、漂移區(qū)和漏區(qū)；柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和多晶硅柵，被多晶硅柵覆蓋的溝道區(qū)的表面用于形成溝道；原胞按照閾值電壓的不同分為2種以上，用以降低功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電流變化和電壓變化；在開(kāi)啟過(guò)程中，按照閾值電壓從小到大的順序依次開(kāi)啟和閾值電壓對(duì)應(yīng)的原胞；在關(guān)斷過(guò)程中，按照閾值電壓從大到小的順序依次關(guān)斷和閾值電壓對(duì)應(yīng)的原胞。本發(fā)明能降低開(kāi)關(guān)速度，從而降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中電流和電壓的變化。?? |
