一種低壓零功耗CMOS上電檢測(cè)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910389480.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110007132A 公開(kāi)（公告）日 2019-07-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN110007132A 申請(qǐng)公布日 2019-07-12
分類(lèi)號(hào) G01R19/165;G06F1/24;H03K17/22 分類(lèi) 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 莊在龍 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 南京芯耐特半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京聚匠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 南京芯耐特半導(dǎo)體有限公司
地址 211800 江蘇省南京市浦口區(qū)江浦街道浦濱大道88號(hào)浦口科創(chuàng)廣場(chǎng)B座509
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種低壓零功耗CMOS上電檢測(cè)電路，包括電容Cp、NMOS器件NM1、RS觸發(fā)器、一級(jí)反相器I3、分壓模塊、整形模塊、二級(jí)反相器I4、對(duì)地延遲電容C1、三級(jí)反相器。本發(fā)明采用PM1和電阻R1的分壓的結(jié)構(gòu)，可以在低電壓下，實(shí)現(xiàn)上電電平的檢測(cè)，同時(shí)PM2和C1產(chǎn)生的延遲，可以幫助快速檢測(cè)電源上電情況下，產(chǎn)生足夠邏輯電路復(fù)位的延遲區(qū)間；NM1幫助在正常工作狀態(tài)下，避免產(chǎn)生靜態(tài)電流消耗，做到無(wú)靜態(tài)功耗的啟動(dòng)電路，適用于低壓，低功耗的集成電路芯片應(yīng)用。