半導(dǎo)體電路和半導(dǎo)體電路的制造方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110641441.X | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113380780A | 公開(公告)日 | 2021-09-10 |
| 申請公布號 | CN113380780A | 申請公布日 | 2021-09-10 |
| 分類號 | H01L25/16(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 左安超;謝榮才;王敏 | 申請(專利權(quán))人 | 廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市辰為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 唐文波 |
| 地址 | 528000廣東省佛山市南海區(qū)丹灶鎮(zhèn)仙湖度假區(qū)養(yǎng)生路10號之一 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體電路和半導(dǎo)體電路的制造方法,通過電路基板上設(shè)置絕緣層;電路層設(shè)置在第一絕緣層上;多個(gè)引腳的第一端分別與電路層電性連接;密封本體至少包裹設(shè)置電路層的電路基板的一表面,各引腳的第二端從密封本體露出;電路基板包括第一冷卻件和第二冷卻件,且由第一冷卻件和第二冷卻件混合制備得到,實(shí)現(xiàn)對電路基板上的功率器件進(jìn)行高效散熱。本申請通過第一冷卻件和第二冷卻件混合制備得到電路基板,提升了電路基板的導(dǎo)熱性,能夠?qū)㈦娐坊迳裙β势骷a(chǎn)生的熱量更快的導(dǎo)出,且混合制備得到的電路基板與半導(dǎo)體電路的熱膨脹系數(shù)相近,有利于功率器件熱量及時(shí)散出,提升半導(dǎo)體電路的可靠性。 |





