一種二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811071009.6 申請日 -
公開（公告）號 CN109060860A 公開（公告）日 2018-12-21
申請公布號 CN109060860A 申請公布日 2018-12-21
分類號 G01N23/2258 分類 測量；測試;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 洪啟集成電路（珠海）有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 200120 上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)環(huán)湖西二路888號C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較方法及裝置，用于診斷離子注入是否存在異常，包括以下步驟：S1，微調(diào)機臺；S2，第一決策階段，機臺進行離子注入劑量偏差自校驗，若離子注入劑量偏差小于1％，則轉(zhuǎn)到步驟S3，若離子注入劑量差大于等于1％，則轉(zhuǎn)到步驟S1；S3，進行異常點檢測與剔除；S4，進行曲線平滑處理并進行模型診斷；S5，計算相關(guān)的非參數(shù)量化指標并按照該指標進行二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較；S6，若所述指標滿足閾值，則該次離子注入正常；若不滿足閾值，則該次離子注入異常，轉(zhuǎn)到步驟S1。解決現(xiàn)有技術(shù)中二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較參數(shù)過于主觀，離子注入結(jié)果分析不全面的問題，有效的實現(xiàn)早期檢測和指導(dǎo)從業(yè)人員及時制定解決方案，減少偏差的影響。