等離子體氮化摻雜方法和裝置及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210535375.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114724945A 公開（公告）日 2022-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114724945A 申請(qǐng)公布日 2022-07-08
分類號(hào) H01L21/3115（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜偉鵬;劉韜;王文巖;辛孟陽;余飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京易光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海二路28號(hào)8幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種等離子體氮化摻雜方法、等離子體氮化摻雜裝置和半導(dǎo)體器件。所述等離子體氮化摻雜方法包括向處理腔室提供等離子體前體氣體；向所述處理腔室施加頻率在1?100MHz內(nèi)的混合異頻源射頻，以產(chǎn)生等離子體；對(duì)待處理工件表面的膜層進(jìn)行氮化摻雜。根據(jù)本發(fā)明的等離子體摻雜方法通過采用混合異頻源射頻能夠?qū)Φ瘬诫s濃度和氮化摻雜深度進(jìn)行靈活控制。