三片式內(nèi)置電容式同步整流二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721881128.9 申請日 -
公開（公告）號 CN207637789U 公開（公告）日 2018-07-20
申請公布號 CN207637789U 申請公布日 2018-07-20
分類號 H01L23/495;H01L23/488;H02M7/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李明芬;吳南;呂敏;李聯(lián)勛;馬東平;王鵬 申請（專利權）人 山東迪一電子科技有限公司
代理機構 青島發(fā)思特專利商標代理有限公司 代理人 周仕芳;盧登濤
地址 272100 山東省濟寧市兗州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)創(chuàng)業(yè)路北
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了三片式內(nèi)置電容式同步整流二極管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、內(nèi)置電容，所述第二框架有一個外置引腳，第二框架一側設有第三框架，控制IC芯片固定在第二框架上，內(nèi)置電容的外接線段連接第二框架上，內(nèi)接線端連接第三框架；第一框架設有一個外置引腳，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片與控制IC芯片之間、控制IC芯片與第三框架之間、MOSFET芯片與第二框架之間、控制IC芯片與第一框架之間通過鍵合線連接。三片式內(nèi)置電容式同步整流二極管，優(yōu)化了結構，整合PAD可利用面積，排除了易造成不良的結構缺陷。