一種終點(diǎn)檢測(cè)精度高的化學(xué)機(jī)械拋光墊、制備方法及其應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111437207.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114029856A 公開（公告）日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114029856A 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類號(hào) B24B37/22（2012.01）I;B24B37/24（2012.01）I;B24B37/26（2012.01）I;B24D18/00（2006.01）I;B29C39/10（2006.01）I;B29C39/12（2006.01）I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 謝毓;王凱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 萬華化學(xué)集團(tuán)電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 264006山東省煙臺(tái)市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)北京中路50號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種終點(diǎn)檢測(cè)精度高的化學(xué)機(jī)械拋光墊、制備方法及其應(yīng)用，所述化學(xué)機(jī)械拋光墊具有獨(dú)特的類“三明治”結(jié)構(gòu)的檢測(cè)窗，包括頂層、中間層和底層，所述中間層由高折射率材料構(gòu)成，保證了拋光過程中具有較高的終點(diǎn)檢測(cè)精度，所述頂層與底層結(jié)構(gòu)保證了拋光過程中的窗口塊體與其他部分的拋光層具有相似的拋光性能及壓縮性能。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊具有終點(diǎn)檢測(cè)精度高、拋光缺陷少等優(yōu)點(diǎn)，適用于磁性基片、光學(xué)基片或半導(dǎo)體基片的化學(xué)機(jī)械拋光。