一種磁存儲器及其寫狀態(tài)檢測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811045302.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110890116B 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN110890116B 申請公布日 2021-09-03
分類號 G11C11/16 分類 信息存儲;
發(fā)明人 戴瑾;葉力;夏文斌 申請（專利權）人 上海磁宇信息科技有限公司
代理機構 上海容慧專利代理事務所（普通合伙） 代理人 于曉菁
地址 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號二號樓二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種磁存儲器及其寫狀態(tài)檢測方法，該磁存儲器包括：高阻態(tài)寫參考單元，用于提供判斷存儲單元是否處于高阻態(tài)的參考信號；低阻態(tài)寫參考單元，用于提供判斷存儲單元是否處于低阻態(tài)的參考信號；寫入狀態(tài)檢測單元，用于接收高阻態(tài)寫參考單元和低阻態(tài)寫參考單元的輸出信號以及各存儲單元寫入回路中的相應檢測信號；當進行置為高阻態(tài)的寫入操作時，寫入狀態(tài)檢測單元將存儲單元的檢測信號與高阻態(tài)寫參考單元提供的信號進行比較，當判定存儲單元已處于高阻態(tài)時，發(fā)出終止寫信號；當進行置為低阻態(tài)的寫入操作時，寫入狀態(tài)檢測單元將存儲單元的檢測信號與低阻態(tài)寫參考單元提供的信號進行比較，當判定存儲單元已處于低阻態(tài)時，發(fā)出終止寫信號。