一種高出光率深紫外LED
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202022285008.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN213782036U | 公開（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213782036U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-23 |
| 分類號(hào) | H01L33/48（2010.01）I;H01L33/60（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王志濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 揚(yáng)州紫王優(yōu)衛(wèi)科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳紫晴專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 陳映輝 |
| 地址 | 225100江蘇省揚(yáng)州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)開發(fā)西路217號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種高出光率深紫外LED，包括基板、圍壩、透光窗口和深紫外LED芯片，所述圍壩設(shè)于基板上，所述圍壩上開設(shè)有深紫外LED芯片放置腔，所述深紫外LED芯片倒裝設(shè)于深紫外LED芯片放置腔內(nèi)，所述深紫外LED芯片的背面為發(fā)光面，所述深紫外LED芯片的正面設(shè)于基板上，所述透光窗口覆蓋設(shè)于圍壩上，所述深紫外LED芯片放置腔內(nèi)壁為拋光內(nèi)壁，所述深紫外LED芯片放置腔內(nèi)壁上鍍?cè)O(shè)有紫外高反射介質(zhì)膜。本實(shí)用新型涉及LED光源技術(shù)領(lǐng)域，具體是提供了一種通過光學(xué)拋光配合真空鍍膜技術(shù)，將側(cè)向發(fā)出的紫外線能量反射至正面，提高深紫外LED出光效率的高出光率深紫外LED。 |
