一種超高壓VDMOS集成電路芯片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111206527.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113809161B | 公開（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113809161B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-24 |
| 分類號(hào) | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉秀梅;劉鋒;殷允超;周祥瑞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 捷捷微電（無(wú)錫）科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京神州信德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 朱俊杰 |
| 地址 | 214000 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園B-221 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種超高壓VDMOS集成電路芯片及其制備方法，包括至少一個(gè)浮空?qǐng)霭澹?）；所述浮空?qǐng)霭澹?）具有至少三個(gè)端部。本發(fā)明通過(guò)優(yōu)化終端保護(hù)區(qū)中浮空?qǐng)霭澹?）的形貌，增長(zhǎng)了浮空?qǐng)霭澹?）的長(zhǎng)度，來(lái)增強(qiáng)終端保護(hù)區(qū)電場(chǎng)密度，提升終端保護(hù)區(qū)耐壓，進(jìn)而提升整個(gè)VDMOS集成電路芯片的可靠性。 |
