一種提高防靜電能力的MOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120318432.2 申請日 -
公開（公告）號 CN214279985U 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN214279985U 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 殷允超;劉鋒;費國芬 申請（專利權(quán)）人 捷捷微電（無錫）科技有限公司
代理機構(gòu) 無錫科嘉知信專利代理事務所（普通合伙） 代理人 顧翰林
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種提高防靜電能力的MOSFET器件，包括用于引出柵極的柵極金屬和用于引出源極的源極金屬，柵極金屬和源極金屬間設置有ESD保護結(jié)構(gòu)，ESD保護結(jié)構(gòu)包括多個ESD保護溝槽，多個ESD保護溝槽并列排布在柵極PAD區(qū)的四周，柵極串聯(lián)有多個柵極電阻Rg，柵極電阻Rg包括柵電阻溝槽，且多個柵極電阻溝槽設置在有源區(qū)和終端保護區(qū)間；本實用新型在現(xiàn)有帶ESD防護結(jié)構(gòu)器件的基礎(chǔ)上，在柵極串聯(lián)了柵極電阻Rg，當柵極受到強靜電沖擊時，Rg電阻會使流向多晶硅二極管回路，有效保護了MOS的薄柵氧結(jié)構(gòu)，使得原有常規(guī)二極管保護回路（PN結(jié)對）發(fā)揮更大的保護作用，從而提高了器件的抗ESD能力極限，提高了器件的可靠性。