一種高性能SGTMOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122384160.9 申請日 -
公開（公告）號 CN216597598U 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN216597598U 申請公布日 2022-05-24
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鋒;殷允超;費國芬 申請（專利權）人 捷捷微電（無錫）科技有限公司
代理機構 無錫科嘉知信專利代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網國際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種高性能SGT MOSFET器件，其技術方案要點是：包括MOSFET器件體，所述MOSFET器件體虛擬分割成Cell區(qū)域和Ring區(qū)域，所述MOSFET器件體的底部設有N+襯底層，所述N+襯底層的上部設有epi1層，所述epi1層的上部設有epi2層，所述epi2層的頂部注入形成P型雜質B+層，所述P型雜質B+層的頂部設有介質淀積層，所述介質淀積層的頂部設有金屬層，所述Cell區(qū)域和所述Ring區(qū)域分別開設有溝槽，所述溝槽的底部穿透所述epi1層處于所述epi2層的內部；本實用新型盡可能降低襯底反擴，從而獲得更好的RSP，以60V器件為例，RSP達到13.8mohm.mm2，相比普通trench工藝RSP性能提升50％，實際流片數據顯示RSP性能優(yōu)于現有同類產品，分離柵特殊的結構又使開關性能提升50％以上。