一種集成RC吸收結(jié)構(gòu)的MOSFET器件及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111054711.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113659010A 公開（公告）日 2021-11-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113659010A 申請(qǐng)公布日 2021-11-16
分類號(hào) H01L29/78;H01L23/552;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉秀梅;殷允超;劉鋒;周祥瑞;費(fèi)國(guó)芬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 捷捷微電（無(wú)錫）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫科嘉知信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 顧翰林
地址 214000 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種集成RC吸收結(jié)構(gòu)的MOSFET器件及制作方法，包括若干個(gè)相互并聯(lián)的器件元胞單元，器件元胞單元包括第一導(dǎo)電類型襯底及第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)，第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)內(nèi)設(shè)有絕緣深溝槽，絕緣深溝槽內(nèi)填充有溝槽絕緣介質(zhì)，溝槽絕緣介質(zhì)上設(shè)有源極導(dǎo)電多晶硅，源極導(dǎo)電多晶硅表面被絕緣介質(zhì)包裹，絕緣介質(zhì)上設(shè)有源極電阻，源極電阻被源極金屬包裹，且與源極金屬歐姆接觸。本發(fā)明在器件的源極和漏極間設(shè)置RC吸收結(jié)構(gòu)，使得MOS管在高頻開關(guān)過(guò)程中，能抵抗高浪涌電流，同時(shí)能吸收器件開關(guān)過(guò)程中的電壓震蕩，提高電壓震蕩dVds/dt耐量，有效防止器件因電壓震蕩dVds/dt導(dǎo)致的失效，故可消除開關(guān)過(guò)程中的EMI問(wèn)題。