一種適用于MOSFET器件的仿真模型裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110069292.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112906327A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN112906327A 申請公布日 2021-06-04
分類號 G06F30/33 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 劉海濤;吳鳴;張海;熊雄;孫麗敬;李蕊;徐旖旎;邵瑤 申請（專利權(quán)）人 國網(wǎng)山東省電力公司聊城供電公司
代理機構(gòu) 北京工信聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 夏德政
地址 100192 北京市海淀區(qū)清河小營東路15號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種適用于MOSFET器件的仿真模型裝置，屬于電力電子與電力傳動技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明裝置，包括：控制信號延時子電路，所述控制信號延時子電路接入控制信號及電流，并根據(jù)控制信號控制電流流入穩(wěn)態(tài)子電路；穩(wěn)態(tài)子電路，所述穩(wěn)態(tài)子電路接入電流后，模擬MOSFET器件的開通及關(guān)斷過程中漏源極電壓及電流的變化，輸出斷態(tài)時漏源極電壓及通態(tài)時漏源極電流；開通暫態(tài)子電路，所述開通態(tài)子電路以斷態(tài)時漏源極電壓作為控制對象，模擬MOSFET器件開通過程的漏源極電壓；關(guān)斷暫態(tài)子電路，所述關(guān)斷暫態(tài)子電路以通態(tài)時漏源極電流作為控制對象，模擬MOSFET器件關(guān)斷過程的漏源極電流。本發(fā)明體現(xiàn)了SICMOSFET穩(wěn)態(tài)工作特性及開通瞬態(tài)特性與關(guān)斷瞬態(tài)特性。