硅襯底上以三族氮化物為主材的半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)方法及器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200710021000.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101075556A 公開（公告）日 2007-11-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN101075556A 申請(qǐng)公布日 2007-11-21
分類號(hào) H01L21/205(2006.01);C30B25/18(2006.01);C30B29/38(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張雄 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫藍(lán)星電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 無錫藍(lán)星電子有限公司
地址 214043江蘇省無錫市興源北路401號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 硅襯底上以三族氮化物為主材的半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)方法及器件，屬于半導(dǎo)體材料及器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明是關(guān)于一種生長(zhǎng)在復(fù)合中間層表面的三族氮化物半導(dǎo)體的方法及制作相關(guān)器件。所述的復(fù)合中間層是由在(111)面硅襯底上形成的一層二硼化鋯(ZrB2)薄膜，和與二硼化鋯晶格匹配的氮化鋁鎵(Al0.26Ga0.74N)層，及以氮化鋁鎵(AlxGa1－xN，0≤x≤1)為主材的單層或多層緩沖層組合而成。此種能夠抑制外延層和襯底晶格不匹配造成的晶體缺陷產(chǎn)生及位錯(cuò)遷移的復(fù)合中間層，可生長(zhǎng)在部分或全部(111)面硅襯底表面。接著，在此復(fù)合中間層上即可生長(zhǎng)高質(zhì)量的單層或多層三族氮化物薄膜，三族氮化物薄膜可以被攙雜成n－型或p－型半導(dǎo)體，以形成p－n結(jié)，從而制備各種光電子元器件。