一種MEMS傳感器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811266759.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111099556A 公開(kāi)（公告）日 2020-05-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN111099556A 申請(qǐng)公布日 2020-05-05
分類號(hào) B81C3/00;B81C1/00;B81B7/02 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 阮盛杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海途擎微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海途擎微電子有限公司
地址 200120 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種MEMS傳感器及其制備方法，其中，MEMS傳感器的制備方法包括：制備器件層的壓電電阻與金屬線，并預(yù)釋放質(zhì)量塊與懸臂梁；制備上蓋板并將所述上蓋板與上述所述器件層鍵合；釋放所述質(zhì)量塊及所述懸臂梁；制備下蓋板并將所述下蓋板與所述器件層鍵合，制得所述MEMS傳感器。通過(guò)上述方式，本發(fā)明的MEMS傳感器能夠有效降低零點(diǎn)輸出。