一種高壓尖峰泄放電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110389288.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112865058A | 公開（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112865058A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
| 分類號(hào) | H02H9/04(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 胡梟;趙智超;嚴(yán)培青 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海傳泰電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海怡恩專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 潘青青 |
| 地址 | 201306上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)云漢路979號(hào)2樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提出了一種高壓尖峰泄放電路，包括穩(wěn)壓模塊、尖峰電壓檢測(cè)模塊、泄放MOS保護(hù)模塊和尖峰電壓泄放MOS管模塊；所述尖峰電壓檢測(cè)模塊包括一個(gè)PMOS管和兩個(gè)電阻；所述泄放MOS保護(hù)電路包括N(N>0)個(gè)NMOS管；所述的尖峰電壓泄放MOS管模塊包括一個(gè)NMOS管。本發(fā)明通過(guò)對(duì)輸入電壓的檢測(cè)和對(duì)泄放MOS管的控制，解決了輸入電壓產(chǎn)生高壓尖峰時(shí)，泄放速度慢和尖峰電壓泄放后電壓值大導(dǎo)致的內(nèi)部電路燒毀問(wèn)題，提高了電路可靠性。本發(fā)明中尖峰電壓檢測(cè)模塊使用的PMOS管為工藝自帶的PM1場(chǎng)效應(yīng)管，減少了制版層次，降低了生產(chǎn)成本。?? |
