用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉(zhuǎn)內(nèi)擋板

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023003212.5 申請日 -
公開（公告）號 CN214004854U 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN214004854U 申請公布日 2021-08-20
分類號 C30B7/10（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 易際讓;王曉剛;劉盛浦 申請（專利權(quán)）人 山東博達光電有限公司
代理機構(gòu) 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 代理人 金祺
地址 271500山東省泰安市東平縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉(zhuǎn)內(nèi)擋板，被置于水熱高壓釜的內(nèi)腔中，包括大小相等、且軸心線相重合的上擋板和下?lián)醢?；上擋板?）與下?lián)醢澹?）之間的間距為可調(diào)間距；在上擋板（1）上分別設(shè)有上擋板下降通孔（6?1）、上擋板上升通孔（6?2）；在下?lián)醢澹?）上分別設(shè)有下?lián)醢逑陆低祝??3）和下?lián)醢迳仙祝??4）；相對應(yīng)的上擋板下降通孔（6?1）和下?lián)醢逑陆低祝??3）的正投影與上擋板（1）軸心線的夾角為大于0°～小于90°。本實用新型通過對雙層擋板的間距調(diào)整和上下板通孔的旋轉(zhuǎn)角度的限定，改變礦化劑液體對流狀態(tài)，使得高壓釜生長區(qū)的晶體生長速率趨于一致，提高晶體的結(jié)晶均勻性。