光學(xué)石英晶體的電擴(kuò)散處理法及所用的夾持器組件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710745240.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107400930A 公開（公告）日 2017-11-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN107400930A 申請(qǐng)公布日 2017-11-28
分類號(hào) C30B33/04(2006.01)I;C30B29/18(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 劉盛浦;易際讓;黃玲香;劉盛漲 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東博達(dá)光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 代理人 金祺
地址 271500 山東省泰安市東平縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種光學(xué)石英晶體的電擴(kuò)散方法，包括以下步驟：對(duì)于待電擴(kuò)散處理的光學(xué)石英晶體的上、下表面均進(jìn)行光潔度和平行度的處理，再進(jìn)行清潔處理，然后放入夾持器組件中進(jìn)行電擴(kuò)散：先以1500±100V/cm計(jì)算施加直流電場(chǎng)強(qiáng)度后打開直流高壓電場(chǎng)，然后以每小時(shí)40±5℃的速率升溫至恒溫溫度后保溫12±1小時(shí)，再以每小時(shí)40±5℃的速率降溫至室溫時(shí)關(guān)斷直流高壓電場(chǎng)；所述恒溫溫度為520～570℃。本發(fā)明還同時(shí)公開了上述夾持器組件。