一種用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011470286.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112481692A | 公開（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申請公布號 | CN112481692A | 申請公布日 | 2021-03-12 |
| 分類號 | C30B7/10(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 易際讓;王曉剛;劉盛浦 | 申請（專利權）人 | 山東博達光電有限公司 |
| 代理機構 | 杭州中成專利事務所有限公司 | 代理人 | 金祺 |
| 地址 | 271500山東省泰安市東平縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于水熱溫差法晶體生長的雙層旋轉內擋板，被置于水熱高壓釜的內腔中，包括大小相等、且軸心線相重合的上擋板和下?lián)醢?；上擋?1)與下?lián)醢?3)之間的間距為可調間距；在上擋板(1)上分別設有上擋板下降通孔(6?1)、上擋板上升通孔(6?2)；在下?lián)醢?3)上分別設有下?lián)醢逑陆低?6?3)和下?lián)醢迳仙?6?4)；相對應的上擋板下降通孔(6?1)和下?lián)醢逑陆低?6?3)的正投影與上擋板(1)軸心線的夾角為大于0°～小于90°。本發(fā)明通過對雙層擋板的間距調整和上下板通孔的旋轉角度的限定，改變礦化劑液體對流狀態(tài)，使得高壓釜生長區(qū)的晶體生長速率趨于一致，提高晶體的結晶均勻性。?? |
