人造石英晶體的優(yōu)質(zhì)籽晶片培育法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911112170.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110747502B | 公開（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110747502B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號(hào) | C30B29/18(2006.01)I;B28D5/04(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉盛浦;易際讓;王曉剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山東博達(dá)光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 金祺 |
| 地址 | 271500山東省泰安市東平縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種人造石英晶體的優(yōu)質(zhì)籽晶片培育法，包括以下步驟：一、將待切割的人造石英晶體切割成只保留部分正負(fù)電軸區(qū)域的框架晶體；二、將框架晶體切割成框架籽晶片；三、將框架籽晶片置于高壓釜內(nèi)進(jìn)行晶體生長；四、將框架晶體長出部分進(jìn)行切割，得到優(yōu)質(zhì)籽晶片。本發(fā)明利用在石英晶體的+X方向(正電軸方向)長出的晶體不會(huì)遺傳繼承籽晶片上的缺陷的特點(diǎn)，進(jìn)行優(yōu)質(zhì)籽晶片的培育，將長成部分的晶體進(jìn)行籽晶片切割，從而得到低腐蝕隧道密度的優(yōu)質(zhì)籽晶片。?? |
