一種氣相沉積裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202120151852.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN214782132U | 公開(公告)日 | 2021-11-19 |
| 申請公布號 | CN214782132U | 申請公布日 | 2021-11-19 |
| 分類號 | C23C16/455(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 鄧必龍;張向東 | 申請(專利權(quán))人 | 龍鱗(深圳)新材料科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 潘登 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號創(chuàng)新廣場裙樓202 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種氣相沉積裝置,其屬于產(chǎn)品表面鍍層技術(shù)領(lǐng)域,包括真空的殼體,所述殼體的側(cè)壁具有進(jìn)氣口,所述殼體的頂壁中部具有抽氣口;工件架,位于所述殼體內(nèi),待鍍膜工件設(shè)置于所述工件架上;導(dǎo)流板,位于所述殼體內(nèi),所述導(dǎo)流板在所述殼體側(cè)壁上的正投影覆蓋所述進(jìn)氣口且與所述殼體的側(cè)壁之間存在間隙,以能夠?qū)τ伤鲞M(jìn)氣口進(jìn)入的氣流進(jìn)行導(dǎo)流;多個電極板,位于所述殼體內(nèi),每個所述電極板上均具有多個通孔,或者,相鄰兩個所述電極板形成氣流通道;經(jīng)所述導(dǎo)流板導(dǎo)流的流體通過多個所述通孔或多個所述氣流通道分流至所述工件架處。本實(shí)用新型能夠提高流至工件架處的流體的均勻性,使得在待鍍膜工件上形成的膜層的均勻性較高。 |





