一種增加爬電距離的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010828782.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111916407A | 公開（公告）日 | 2020-11-10 |
| 申請公布號 | CN111916407A | 申請公布日 | 2020-11-10 |
| 分類號 | H01L23/29(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱袁正;王燕軍;朱久桃;李明芬 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫電基集成科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 曹慧萍 |
| 地址 | 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)研發(fā)二路以南、研發(fā)一路以東 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種增加爬電距離的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，其可增加引線之間的爬電距離，同時可增加器件的絕緣強(qiáng)度，滿足半導(dǎo)體器件的高耐壓要求，其包括殼體、若干個由內(nèi)部芯片引出的貫穿殼體的引線，至少一個引線上包覆有凸緣，凸緣位于引線與殼體外表面相鄰的部位，或至少一個引線上包覆有凸緣，同時引線之間開有凹槽，一種實(shí)現(xiàn)上述封裝結(jié)構(gòu)封裝的方法，采用環(huán)氧樹脂將所述芯片及所述引線的一端密封封裝，引線之間的爬電路徑上設(shè)置有若干個所述凸緣或凸緣與凹槽的組合結(jié)構(gòu)，凸緣與殼體一體成型，或凸緣、凹槽與殼體一體成型。?? |
