一種閃存結構及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210659132.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114758955A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114758955A 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L27/11521（2017.01）I;H01L29/788（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈安星;張有志;胡曉峰 申請（專利權）人 粵芯半導體技術股份有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)鳳凰五路28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種閃存結構的制作方法，包括以下步驟：形成互連層于半導體層上，半導體層中設有存儲單元，互連層的頂面顯露頂層金屬連線層；形成第一鈍化層于互連層上；在高于400℃的溫度下進行合金化退火步驟；依次形成第二、第三及第四鈍化層于第一鈍化層上，其中，第四鈍化層包括氮化硅層，第一鈍化層的材質不同于第四鈍化層。本發(fā)明的閃存結構的制作方法將合金化退火步驟提前到氮化硅沉積之前，鈍化層的氮化硅沉積工藝流程后面沒有高溫制程，氮化硅薄膜中富含的氫不會分解出H+離子，杜絕了由于較大電場強度的原因把隧穿介質層里甚至浮柵里的電子吸出的可能性。DRB測試結果表明，本發(fā)明的閃存結構的DRB性能明顯改善，符合可靠性要求。