一種毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)及其測試結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201922279895.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211404488U | 公開（公告）日 | 2020-09-01 |
| 申請公布號 | CN211404488U | 申請公布日 | 2020-09-01 |
| 分類號 | H01L23/488(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 董昊逸;向渝 | 申請（專利權(quán)）人 | 南京邁矽科微電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京德崇智捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 南京邁矽科微電子科技有限公司 |
| 地址 | 210000江蘇省南京市江寧區(qū)秣周東路9號（江寧開發(fā)區(qū)） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)及測試結(jié)構(gòu)，毫米波芯片封裝結(jié)構(gòu)包括裸片以及用于裸片扇出的再分配層；其特征在于：所述再分配層為地?信號?地結(jié)構(gòu)，再分配層的信號結(jié)構(gòu)被其周圍的地結(jié)構(gòu)包圍。所述信號結(jié)構(gòu)包括圓形部和與圓形部連接的延伸部；兩個地結(jié)構(gòu)位于所述的延伸部的兩側(cè)。本實用新型毫米波封裝結(jié)構(gòu)。采用扇出型晶圓級封裝的封裝形式，通過改進(jìn)封裝上再分配層的結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了封裝射頻端口良好的損耗和帶寬性能。同時為了高效地測試毫米波封裝，引入了圖形精度較高的陶瓷電路，通過鍵合引線的方式把封裝的射頻端口引出到陶瓷電路上，進(jìn)而通過探針測試封裝的性能。?? |
