等離子體發(fā)生裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020778076.8 申請日 -
公開（公告）號 CN211792195U 公開（公告）日 2020-10-27
申請公布號 CN211792195U 申請公布日 2020-10-27
分類號 H05H1/24(2006.01)I 分類 其他類目不包含的電技術;
發(fā)明人 張宜東;蔡瓏元;尹志堯 申請（專利權）人 中微惠創(chuàng)科技（上海）有限公司
代理機構 上海元好知識產權代理有限公司 代理人 中微惠創(chuàng)科技（上海）有限公司
地址 201306上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)竹柏路750號205室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種等離子體發(fā)生裝置包括：陰極組件，包括陰極；陽極組件，包括陽極筒和導磁筒，所述陽極筒包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述陽極筒第一區(qū)的直徑大于第二區(qū)直徑，且所述第一區(qū)的中心到陰極底面的距離小于第二區(qū)的中心到陰極底面的距離，所述導磁筒環(huán)繞所述陽極筒的第二區(qū)的外部，所述導磁筒的內徑小于所述陽極筒的第一區(qū)的外徑，所述導磁筒由若干個導磁部組成，每個所述導磁部內設置至少一個凹槽，所述凹槽用于放置導磁體，所述陽極筒與陰極之間形成等離子體發(fā)生空間。所述導磁體的材料在磁導率較小的情況下就能對等離子體有較強的約束能力。??