一種結(jié)構(gòu)疏松的沉淀二氧化硅的制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110758501.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113321220A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-08-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113321220A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-31 |
| 分類(lèi)號(hào) | C01B33/18(2006.01)I;D21H17/68(2006.01)I;C08K7/26(2006.01)I;B01J20/10(2006.01)I;B01J20/30(2006.01)I;A61K8/25(2006.01)I;A61Q11/00(2006.01)I | 分類(lèi) | 無(wú)機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 王永慶;馬加佳 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 確成硅化學(xué)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫智麥知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 宋春榮 |
| 地址 | 214000江蘇省無(wú)錫市錫山區(qū)東港鎮(zhèn)東青河村 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種結(jié)構(gòu)疏松的沉淀二氧化硅的制備方法。所述制備方法包括以下步驟:(1)將硅酸鹽和電解質(zhì)混合溶解,得到底液,底液中的電解質(zhì)濃度為10~25wt%;(2)向底液中加入酸化劑,然后將底液溫度升高4~16℃,至pH值為7~9;(3)再向底液中加入硅酸鹽,同時(shí)加入酸化劑使pH值維持基本不變;(4)硅酸鹽加入完畢后繼續(xù)加入酸化劑,至pH值為4.5~6,老化。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明方法所用原材料多樣易得,工藝簡(jiǎn)單易行,所制備的沉淀二氧化硅具有結(jié)構(gòu)疏松,超聲解聚速度快,高分散性,孔隙分布均勻的優(yōu)點(diǎn),有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 |





